杨浦复旦大学研发新型存储技术
2018-4-19 10:54:45发布63次查看
近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。日前，相关成果在线发表于《自然·纳米技术》，题为《用于准非易失应用的范德瓦尔斯结构半浮栅存储》。
目前半导体电荷存储技术主要有两类，第一类是易失性存储，例如计算机的内存，可在几纳秒左右写入数据，但掉电后数据会立即消失；第二类是非易失性存储，例如u盘，需要几微秒到几十微秒才能把数据保存下来，但在写入数据后无需额外能量可保存10年。
新型电荷存储技术能够实现全新的第三类存储特性：写入速度比目前u盘快1万倍，数据刷新时间是内存技术的156倍，并且拥有卓越的调控性，可以实现按照数据有效时间需求设计存储器结构。它既满足了10纳秒写入数据速度，又实现了按需定制（10秒—10年）的可调控数据准非易失特性；既可以在高速内存中极大降低存储功耗，还可以实现数据有效期截止后自然消失，为一些特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。
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