1、内存时序（英语：memory timings或ram timings）是描述同步动态随机存取存储器（sdram）性能的四个参数：cl、trcd、trp和tras，单位为时钟周期。
2、它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。第四个参数（ras）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：command rate（命令速率），通常为2t或1t，也写作2n、1n。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。