- 品牌:其他
- 型号:MPSC2N75U60
- 种类:结型(JFET)
- 沟道类型:N沟道
- 导电方式:增强型
- 用途:SW-REG/开关电源
- 封装外形:P-DIT/塑料双列直插
- 材料:ALGaAS铝镓砷
“长期现货供应全新原装美格纳mpsc2n75u60”详细介绍
整流二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。通常它包含一个pn结,有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。p区的载流子是空穴,n区的载流子是电子,在p区和n区间形成一定的位垒。外加使p区相对n区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7v),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个pn结,有阳极和阴极两个端子
深圳市晟鑫微科技有限公司
黄生
13530341257
深圳市福田区中航路国利大厦2227
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整流二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。通常它包含一个pn结,有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。p区的载流子是空穴,n区的载流子是电子,在p区和n区间形成一定的位垒。外加使p区相对n区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7v),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个pn结,有阳极和阴极两个端子
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