牌号Nb1	产地宝鸡
铌含量≥thisis铌含量≥%	杂质含量杂质含量3866%
重量重量5553kg/块

碲化镉(cadmium  telluride)
由碲和镉构成的ⅱ-ⅵ族化合物半导体材料。其晶体结构为闪锌矿型，具有直接跃迁型能带结构。
碲化镉的物理性质
碲化镉的主要结构缺陷是填隙镉原子，它提供n型电导，而镉空位提供p型电导。
多晶合成用纯度为99.9999％的碲和镉按元素质量比1：1称量，并将料装入涂碳石英管内，在真空度小于4×10-4pa下进行物料脱氧，再在真空度小于2×10-4pa下密封石英管。然后将密封好的石英管放入合成炉内进行多晶合成。为防止合成时镉的迅速蒸发引起炸管，升温必须缓慢进行，因为在碲化镉的熔点，镉的蒸气压为1mpa。当温度升至800℃时恒温4h，然后缓慢升温到1100℃，整个合成时间为14h。
单晶生长 合成好的多晶料可用垂直布里支曼法，碲熔剂法、气相升华法、高压融体生长法等生长单晶。生长速度分别为2mm／h、3mm／h、0.2mm／h、5mm／h。垂直布里支曼法是现在常用于生长碲化镉单晶的方法，其生长示意图如图所示。
生长碲化镉单晶较困难，其原因是元素镉和元素碲在碲化镉生长温度都有较高蒸气压，因此晶体易偏离化学配比；另-个原因是镉易沾附石英安瓿。
 cdte薄膜太阳电池较其他的薄膜电池容易制造，因而它向商品化进展***快。已由实验室研究阶段走向规模化工业生产。下一步的研发重点，是进一步降低成本、提高效率并改进与完善生产工艺。cdte太阳能电池在具备许多有利于竞争的因素下，但在2002年其全球市占率仅0.42﹪，目前cdte电池商业化产品效率已超过10﹪，究其无法耀升为市场主流的原因，大至有下列几点：一、模块与基材材料成本太高，整体cdte太阳能电池材料占总成本的53﹪，其中半导体材料只占约5.5﹪。二、碲天然运藏量有限，其总量势必无法应付大量而全盘的倚赖此种光电池发电之需。三、镉的毒性，使人们无法放心的接受此种光电池。
碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法
可以由多种方法制备，如化学水浴沉积(cbd)、近空间升华法、丝网印刷、溅射、蒸发等。一般的工业化和实验室都采用cbd的方法，这是因为cbd法的成本低和生成的cds能够与tco形成良好的致密接触。
国外碲化镉薄膜太阳能电池产业状况及趋势编辑
碲化镉薄膜太阳能电池是薄膜太阳电池中发展较快的一种光伏器件。美国南佛罗里达大学于1993年用升华法在1cm2面积上做出转换效率为15.8%的太阳电池；随后，日本matsushita battery研究的cdte小面积电池在实验室里的转换效率为16%，成为当时碲化镉薄膜太阳能电池的纪录。
近年来,太阳电池的研究方向是高转换效率、低成本和高稳定性。因此,以碲化镉薄膜太阳能电池为代表的薄膜太阳电池倍受关注，许多组织和公司都开始了研究和测试。西门子开发的面积为3600cm2的碲化镉薄膜太阳能电池转换效率达到11.1%的水平；美国国家可再生能源实验室公布了solar cells公司的面积为6879cm2的碲化镉薄膜太阳能电池的测试结果，其转换效率达到7.7%；bp solar的碲化镉薄膜太阳能电池面积为4540cm2，转换效率为8.4%，面积为706cm2，转换效率达到10.1%；goldan photon的碲化镉薄膜太阳能电池，面积为3528cm2，转换效率为7.7%。