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IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量测试系统

2019-1-25 9:13:22发布399次查看ip:113.140.250.133发布人:xiangzi

规格/环境要求

电压频率:50Hz±1Hz

环境温度:15~40℃

工作湿度:温度不高于+30℃时,相对湿度5%-80%。

温度+30℃到+50℃时相对湿度5%-45%,无冷凝。

大气压力: 86Kpa~106Kpa

海拔高度:不超过3000米。

   寸:800x800x1800mm

   量:210KG

工作电压:AC220V±10%无严重谐波

系统功耗:320W

通信接口:USB RS232

技术指标

配置

测试范围

测试参数

条件

范围

电压

1000V

IGBTs

绝缘栅双极型晶体管

EAS/单脉冲雪崩能量

VCE

20V-4500V

20-100V±3%±1V

100-1000V±3%±5V

1000-4500V±3%±10V

电流

200A

MOSFETs

MOS场效应管

EAR/重复脉冲雪崩能量

Ic

1mA-200A

1mA-100mA±3%±0.1mA

100mA-2A±3%±5mA

2A-200A±3%±50mA

 

DIODEs

二极管

IAS/单脉冲雪崩电流

Ea

1J-2000J

1J-100J±3%±1J

100J-500J±3%±5J

500J-2000J±3%±10J

 

 

PAS/单脉冲雪崩功率

IC检测

50mV/A(取决于传感器)

 

 

 

感性负载

10mH、20mH、40mH、80mH、100mH

 

 

 

重复间隙时间

1-60s可调(步进1s)重复次数:1-50次


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