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广州MOS管私人定制,首选广州鼎泰丰

2019-1-1 2:48:58发布82次查看ip:发布人:
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首先考察一个更简单的器件——mos电容——能更好的理解mos管。这个器件有两个电极,一个是金属,另一个是extrinsic silicon(外在硅),他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是gate,而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric(栅介质)。图示中的器件有一个轻掺杂p型硅做成的backgate。这个mos 电容的电特性能通过把backgate接地,gate接不同的电压来说明。mos电容的gate电位是0v。
金属gate和半导体backgate在work function上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中,这个电场使金属极带轻微的正电位,p型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来,它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了,所以载流子浓度的变化非常小,对器件整体的特性影响也非常小。

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