igbt 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给pnp 晶体管提供基极电流，使igbt 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使igbt 关断。igbt 的驱动方法和mosfet 基本相同，只需控制输入极n一沟道mosfet ，所以具有高输入阻抗特性。当mosfet 的沟道形成后，从p+ 基极注入到n 一层的空穴(少子)，对n 一层进行电导调制，减小n 一层的电阻，使igbt 在高电压时，也具有低的通态电压。
1. 一般保存igbt模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;
2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;
3. 在温度发生急剧变化的场所igbt模块表面可能有结露水的现象，因此igbt模块应放在温度变化较小的地方;
4. 保管时，须注意不要在igbt模块上堆放重物;
5. 装igbt模块的容器，应选用不带静电的容器。
6. 检测igbt模块的的办法。
    igbt关断截止时，i(t)≈o，损耗的功率可忽略。为了便于分析，将损耗分为导通损耗和开关损耗。另外，开关损耗也可分为两类：具有理想二极管时igbt的开关损耗和考虑二极管反向恢复时间时igbt的开关损耗。
  igbt导通时，如果电流为方波脉冲，那么导通能量就等于电流、电压降和导通时间三者之积。igbt在任意电流和温度时的最高电压降，根据数据表提供的数据，可按以下两步得到：
  首先，从igbt集电极发射极饱和电压与壳温的关系曲线上找出能满足所需电流的集电极发射极饱和电压。然后，为了得到最大压降，在给定结温下从该曲线上得出的电压降必须乘以电气特性表中给出的最大值与典型值之比。

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