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FQP12N60C

2018-9-17 16:07:08发布109次查看ip:发布人:
  • 品牌:FAIRCHILD
  • 型号:FQP12N60C
  • 种类:
  • 沟道类型:N
  • 导电方式:
  • 用途:
  • 封装外形:异形
  • 材料:晶体硅


顺乐李  
    2355775693
fqp12n60
600v n沟道mosfet
概述
这些n沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的
,平面条形,dmos技术.
这种先进的技术已特别针对最大限度地减少通态电阻,提供出色的
开关性能,并能承受高能量脉冲雪崩和换向模式.这些器件非常适
用于高效率开关模式电源.
tm
特点
10.5a, 600v, r
ds(on)
= 0.7
ω
@ v
gs
= 10 v
低栅极电荷(典型42 nc的)
低crss(典型值为25 pf的)
快速开关
100%雪崩测试
改进dv / dt能力

深圳顺乐宏业科技有限公司
陈先生
13725598299
新亚洲2期
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